架空绝缘电缆(电缆)大多数都用在城市、农村配电网中架空敷设，因该类电缆长期在室外，容易受各种恶劣环境影响，如紫外线、高温、低温等，绝缘层容易老化，而普通交联聚乙烯绝缘料很难满足耐紫外线及耐老化要求，导致电缆常规使用的寿命低。并且，目前制备交联聚烯烃的填充补强的材料主要是白炭黑、钛白粉、炭黑、蒙脱土和陶土等矿物质，且占比很高，用量很大。而矿物质的使用需要大量开采天然矿石，不仅会严重破坏自然资源，导致山体滑坡、泥石流等严重的自然灾害，而且要耗费大量能源。
本发明要解决的技术问题是提供一种用于架空绝缘电缆的在允许电压下不导电的材料，实现废物再利用，节约世界资源，制备架空绝缘电缆的在允许电压下不导电的材料，取得较好的经济效益。
优选的，苯偶姻及衍生物为安息香或安息香双甲醚或安息香或安息香异丙醚或安息香丁醚。
a)制备废菌料粉末：称取干燥的菌料或经偶联剂改性的菌料，加入白陶土和氧化铝，粉碎、研磨，然后再80-90℃的烘箱内烘烤3-5小时，然后筛选200-250目的粉末，当需要改性时，偶联剂重量为菌料的5％；
交联剂为过氧化二异丙苯(DCP)、过氧化苯甲烷、过氧化乙烷中的至少一种。
本发明采用废菌料为填充补强材料，可作为架空绝缘电缆的在允许电压下不导电的材料，不仅实现了菌料的资源化利用，节约了自然资源，降低了环境污染，具有节能环保方面的深远意义，而且制备方法简单，原料来源广泛，无需特殊设备和苛刻条件，易于实现规模化生产，具有极强的实用价值。
填充剂为蘑菇、白陶土和氧化铝的混合物，其中：蘑菇、白陶土和氧化铝的质量比为80：10：10。光引发剂为安息香双甲醚，交联剂为过氧化二异丙苯，抗氧剂为抗氧剂1076，润滑剂为硬脂肪锌。
a)制备废菌料粉末：称取干燥的菌料或经偶联剂改性的菌料，加入白陶土和氧化铝，粉碎、研磨，然后再80-90℃的烘箱内烘烤3-5小时，然后筛选200-250目的粉末，当需要改性时，偶联剂重量为菌料的5％；
将上述制得的在允许电压下不导电的材料粒料先在平板硫化机上压成试片：压片温度为165℃，压力为10～15MPa，先热压5min，再冷压5min；然后将试片置于紫外老化箱中进行紫外光辐照。
填充剂为蘑菇、白陶土和氧化铝的混合物，其中：蘑菇、白陶土和氧化铝的质量比为80：10：10。光引发剂为安息香双甲醚，交联剂为过氧化二异丙苯，抗氧剂为抗氧剂1076，润滑剂为硬脂肪锌。
a)制备废菌料粉末：称取干燥的菌料或经偶联剂改性的菌料，加入白陶土和氧化铝，粉碎、研磨，然后再80-90℃的烘箱内烘烤3-5小时，然后筛选200-250目的粉末，当需要改性时，偶联剂重量为菌料的5％；
将上述制得的在允许电压下不导电的材料粒料先在平板硫化机上压成试片：压片温度为165℃，压力为10～15MPa，先热压5min，再冷压5min；然后将试片置于紫外老化箱中进行紫外光辐照。
填充剂为蘑菇、白陶土和氧化铝的混合物，其中：蘑菇、白陶土和氧化铝的质量比为75：15：10。光引发剂为安息香双甲醚，交联剂为过氧化二异丙苯，抗氧剂为抗氧剂1076，润滑剂为硬脂肪锌。
a)制备废菌料粉末：称取干燥的菌料或经偶联剂改性的菌料，加入白陶土和氧化铝，粉碎、研磨，然后再80-90℃的烘箱内烘烤3-5小时，然后筛选200-250目的粉末，当需要改性时，偶联剂重量为菌料的5％；
将上述制得的在允许电压下不导电的材料粒料先在平板硫化机上压成试片：压片温度为165℃，压力为10～15MPa，先热压5min，再冷压5min；然后将试片置于紫外老化箱中进行紫外光辐照。
填充剂为蘑菇、白陶土和氧化铝的混合物，其中：蘑菇、白陶土和氧化铝的质量比为75：15：10。光引发剂为安息香双甲醚，交联剂为过氧化二异丙苯，抗氧剂为抗氧剂1076，润滑剂为硬脂肪锌。
a)制备废菌料粉末：称取干燥的菌料或经偶联剂改性的菌料，加入白陶土和氧化铝，粉碎、研磨，然后再80-90℃的烘箱内烘烤3-5小时，然后筛选200-250目的粉末，当需要改性时，偶联剂重量为菌料的5％；
将上述制得的在允许电压下不导电的材料粒料先在平板硫化机上压成试片：压片温度为165℃，压力为10～15MPa，先热压5min，再冷压5min；然后将试片置于紫外老化箱中进行紫外光辐照。
填充剂为蘑菇、白陶土和氧化铝的混合物，其中：蘑菇、白陶土和氧化铝的质量比为75：15：10。光引发剂为安息香双甲醚，交联剂为过氧化二异丙苯，抗氧剂为抗氧剂1076，润滑剂为硬脂肪锌。
a)制备废菌料粉末：称取干燥的菌料或经偶联剂改性的菌料，加入白陶土和氧化铝，粉碎、研磨，然后再80-90℃的烘箱内烘烤3-5小时，然后筛选200-250目的粉末，当需要改性时，偶联剂重量为菌料的5％；
将上述制得的在允许电压下不导电的材料粒料先在平板硫化机上压成试片：压片温度为165℃，压力为10～15MPa，先热压5min，再冷压5min；然后将试片置于紫外老化箱中进行紫外光辐照。
以上所述的本发明实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的权利要求保护范围以内。
